LPDDR3內(nèi)存是LPDDR的第3代內(nèi)存。LPDDR是DDR的一種，又被稱為MDDR，是實(shí)現(xiàn)低功耗指定的內(nèi)存同其他設(shè)備的數(shù)據(jù)交換標(biāo)準(zhǔn)，而且以低功耗和小體積著稱。而LPDDR3，就是LPDDR的第三代，它的頻率更高、電壓更低的同時(shí)機(jī)器的延遲也在不斷變大，從而慢慢地改變了內(nèi)存的子系統(tǒng)。

　　目前市場(chǎng)上主流的是第三代，叫做LPDDR3，最新一代技術(shù)是LPDDR4。

　　1、帶寬更大：與LPDDR3相比，LPDDR4能夠帶來(lái)高達(dá)50%的性能提升。由于帶寬更大，“內(nèi)存敏感型”的游戲應(yīng)用、120fps慢動(dòng)作視頻、以及2K或4K級(jí)別的視頻錄制將直接受益。當(dāng)運(yùn)行一些大量占用RAM的應(yīng)用時(shí)，由于需要將大量數(shù)據(jù)在短時(shí)間內(nèi)存入RAM，此時(shí)LPDDR4的優(yōu)勢(shì)便可以體現(xiàn)出來(lái)。

　　2、功耗更低：值得一提的是，LPDDR4在提升了速度的同時(shí)，還將工作電壓降低到1.1V，而LPDDR3為1.2V，繼續(xù)增強(qiáng)了手機(jī)續(xù)航能力。

　　3、頻率更高：CPU支持度方面，目前僅有高通驍龍810芯片和三星Exynos 7420芯片支持LPDDR4內(nèi)存，這意味著全球僅少數(shù)幾款高端手機(jī)才能夠享受到LPDDR4內(nèi)存的快感。